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Introducción
Dentro de los dispositivos electrónicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, así como otros derivados de éstos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunión o UJT, el transistor uniunión programable o PUT y el diodo Shockley.

Existen tiristores de características especiales como los fototiristores, los tiristores de doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO).

Lo más importante a considerar de estos dispositivos, es la curva característica que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la caída de tensión entre los electrodos principales.

El componente básico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos :

* Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conducción).
* Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequeña potencia.
* Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando está en estado de bloqueo, con pequeñas caídas de tensión entre sus electrodos, cuando está en estado de conducción. Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias.
* Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

El último requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habrá una mayor disipación de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia.


Ahora veremos los tres bloques básicos de semiconductores de potencia y sus aplicaciones fundamentales:
Semiconductores de alta potencia
Dispositivo Intensidad máxima
Rectificadores estándar o rápidos 50 a 4800 Amperios
Transistores de potencia 5 a 400 Amperios
Tiristores estándar o rápidos 40 a 2300 Amperios
GTO 300 a 3000 Amperios

Aplicaciones :

* Tracción eléctrica: troceadores y convertidores.
* Industria:
o Control de motores asíncronos.
o Inversores.
o Caldeo inductivo.
o Rectificadores.
o Etc.

Módulos de potencia
Dispositivo Intensidad máxima
Módulos de transistores 5 a 600 A. 1600 V.
SCR / módulos rectificadores 20 a 300 A. 2400 V.
Módulos GTO 100 a 200 A. 1200 V.
IGBT 50 a 300A. 1400V.
Aplicaciones :

* Soldadura al arco.
* Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI).
* Control de motores.
* Tracción eléctrica.

Semiconductores de baja potencia
Dispositivo Intensidad máxima
SCR 0'8 a 40 A. 1200 V.
Triac 0'8 a 40 A. 800 V
Mosfet 2 a 40 A. 900 V.
Aplicaciones :

* Control de motores.
* aplicaciones domésticas.
* Cargadores de baterías.
* Control de iluminación.
* Control numérico.
* Ordenadores, etc.

Aplicaciones generales: evolución práctica